prudutti

Ge sustrato

breve descrizzione:

1.Sb/N dopatu

2. No doping

3.Semiconductor


Detail di u produttu

Tags di u produttu

Descrizzione

Ge unicu cristallu hè un semiconduttore eccellente per l'industria infrarossa è IC.

Pruprietà

Metudu di crescita

Metudu Czochralski

Struttura cristallina

M3

Unit Cell Constant

a = 5,65754 Å

Densità (g/cm).3

5.323

Puntu di fusione (℃)

937,4

Materiale drogatu

Nisun dopatu

Sb-dopata

In / Ga -dopata

Tipu

/

N

P

Resistività

>35Ωcm

0,05 Ωcm

0,05 ~ 0,1 Ωcm

EPD

<4×103∕cm2

<4×103∕cm2

<4×103∕cm2

Taglia

10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,

dia 2" x 0,33 mm dia 2" x 0,43 mm 15 x 15 mm

Spessore

0,5 mm, 1,0 mm

Pulitura

Single o doppia

Orientazione Cristalli

<100>、<110>、<111>、±0,5º

Ra

≤5Å(5µm×5µm)

A definizione di u substratu Ge

U sustrato Ge si riferisce à un sustrato fattu di l'elementu germaniu (Ge).Germanium hè un materiale semiconductor cù proprietà elettroniche uniche chì u facenu adattatu per una varietà di applicazioni elettroniche è optoelettroniche.

I sustrati Ge sò comunmente usati in a fabricazione di i dispositi elettronici, in particulare in u campu di a tecnulugia di semiconductor.Sò usati cum'è materiali di basa per dipositu filmi sottili è strati epitassiali di altri semiconduttori, cum'è u siliciu (Si).I sustrati Ge ponu esse aduprati per cultivà eterostrutture è strati di semiconductor cumposti cù proprietà specifiche per applicazioni cum'è transistori d'alta velocità, fotodetettori è cellule solari.

Germanium hè ancu utilizatu in a fotonica è l'optoelettronica, induve pò esse usatu cum'è sustrato per u crescente infrared (IR) detectors è lenti.I sustrati di Ge anu pruprietà necessarii per l'applicazioni infrared, cum'è una larga gamma di trasmissione in a regione infrared media è eccellenti proprietà meccaniche à basse temperature.

I sustrati Ge anu una struttura di lattice strettamente adattata à u siliciu, facendu cumpatibili per l'integrazione cù l'elettronica basata in Si.Sta cumpatibilità permette a fabricazione di strutture hibride è u sviluppu di apparecchi elettronichi è fotonici avanzati.

In sintesi, un sustrato Ge si riferisce à un sustrato fattu di germaniu, un materiale semiconductor utilizatu in applicazioni elettroniche è optoelettroniche.Serve cum'è una piattaforma per a crescita di altri materiali semiconduttori, chì permettenu a fabricazione di diversi dispositi in i campi di l'elettronica, l'optoelettronica è a fotonica.


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