Substratu SiC
Descrizzione
U carburu di siliciu (SiC) hè un compostu binariu di u Gruppu IV-IV, hè l'unicu compostu solidu stabile in u Gruppu IV di a Tavola Periodica, Hè un semiconductor impurtante.SiC hà eccellenti proprietà termiche, meccaniche, chimiche è elettriche, chì facenu per esse unu di i migliori materiali per a fabricazione di apparecchi elettronichi à alta temperatura, alta frequenza è alta putenza, u SiC pò ancu esse usatu cum'è materiale di sustrato. per i diodi emettitori di luce blu basati su GaN.Attualmente, 4H-SiC hè i prudutti mainstream in u mercatu, è u tipu di conducibilità hè divisu in tipu semi-insulating è tipu N.
Pruprietà
| Articulu | 2 inch 4H N-type | ||
| Diamitru | 2 inch (50,8 mm) | ||
| Spessore | 350 +/- 25um | ||
| Orientazione | fora di l'assi 4.0˚ versu <1120> ± 0.5˚ | ||
| Orientazione Piana Primaria | <1-100> ± 5° | ||
| Pianu Sicundariu Orientazione | 90.0˚ CW da u Primary Flat ± 5.0˚, Si Face up | ||
| Lunghezza piatta primaria | 16 ± 2,0 | ||
| Lunghezza Flat Secondaria | 8 ± 2,0 | ||
| Grade | Classe di pruduzzione (P) | Nota di ricerca (R) | Grade Dummy (D) |
| Resistività | 0,015~0,028 Ω·cm | < 0,1 Ω·cm | < 0,1 Ω·cm |
| Densità di micropipe | ≤ 1 micropipe/cm² | ≤ 1 0 micropipe/ cm² | ≤ 30 micropipe/cm² |
| Rugosità di a superficia | Si face CMP Ra <0.5nm, C Face Ra <1 nm | N/A, area utile > 75% | |
| TTV | < 8 um | < 10 um | < 15 um |
| arcu | < ± 8 um | < ± 10um | < ± 15 um |
| Warp | < 15 um | < 20 um | < 25 um |
| Cracks | Nimu | Lunghezza cumulativa ≤ 3 mm | Lunghezza cumulativa ≤ 10 mm, |
| Scratchs | ≤ 3 graffii, cumulativi | ≤ 5 graffii, cumulativi | ≤ 10 graffii, cumulativi |
| Piastre Hex | massimu 6 piatti, | massimu 12 piatti, | N/A, area utile > 75% |
| Zone Polytype | Nimu | Area cumulativa ≤ 5% | Area cumulativa ≤ 10% |
| Cuntaminazione | Nimu | ||
