Substratu PMN-PT
Descrizzione
U cristallu PMN-PT hè cunnisciutu per u so coefficient d'accoppiamentu elettromeccanicu estremamente elevatu, un altu coefficient piezoelettricu, un altu sforzu è una bassa perdita dielettrica.
Pruprietà
| Cumpusizioni chimica | (PbMg 0,33 Nb 0,67)1-x: (PbTiO3)x |
| Struttura | R3m, Romboedral |
| Lattice | a0 ~ 4.024Å |
| Puntu di fusione (℃) | 1280 |
| Densità (g/cm3) | 8.1 |
| Coefficient piezoelectric d33 | > 2000 pC/N |
| Perdita dielettrica | tandu <0,9 |
| Cumpusizioni | vicinu à u cunfine di a fase morfotropica |
Definizione di u substratu PMN-PT
U substratu PMN-PT si riferisce à un film sottile o wafer fattu di materiale piezoelettricu PMN-PT.Serve cum'è una basa di supportu o fundazione per diversi apparecchi elettronichi o optoelettronici.
In u cuntestu di PMN-PT, un sustrato hè tipicamente una superficia rigida plana nantu à quale strati sottili o strutture ponu esse cultivati o dipositu.I sustrati PMN-PT sò comunmente usati per fabricà dispositivi cum'è sensori piezoelettrici, attuatori, trasduttori è cugliera di energia.
Questi sustrati furniscenu una piattaforma stabile per a crescita o a deposizione di strati supplementari o strutture, chì permettenu e proprietà piezoelettriche di PMN-PT per esse integrate in i dispositi.A forma di film sottile o wafer di sustrati PMN-PT pò creà apparecchi compatti è efficaci chì prufittà di e eccellenti proprietà piezoelettriche di u materiale.
I prudutti cunnessi
High lattice matching si riferisce à l'allineamentu o currispundenza di strutture di lattice trà dui materiali diffirenti.In u cuntestu di i semiconduttori MCT (mercury cadmium telluride) , l'alta lattice matching hè desiderata perchè permette a crescita di strati epitaxiali d'alta qualità, senza difetti.
MCT hè un materiale semiconduttore cumpostu cumunimenti utilizatu in detectori infrarossi è apparecchi di imaging.Per maximizà a prestazione di u dispositivu, hè criticu di cultivà strati epitassiali MCT chì currispondenu strettamente à a struttura di reticulata di u materiale di sustrato sottostante (tipicamente CdZnTe o GaAs).
Aghjunghjendu un altu lattice matching, l'allineamentu di cristalli trà e strati hè migliuratu, è i difetti è a tensione à l'interfaccia sò ridotti.Questu porta à una qualità cristallina megliu, proprietà elettriche è ottiche migliorate, è un rendimentu di u dispositivu rinfurzatu.
A corrispondenza di alta rete hè impurtante per l'applicazioni cum'è l'imaghjini infrarossi è a sensazione, induve ancu i picculi difetti o imperfezioni ponu degradà a prestazione di u dispositivu, affettendu fatturi cum'è a sensibilità, a risoluzione spaziale è u rapportu signal-à-rumore.
