Substratu LiAlO2
Descrizzione
LiAlO2 hè un sustrato di cristallu di film eccellente.
Pruprietà
Struttura cristallina | M4 |
Custante di cellula unità | a = 5,17 A c = 6,26 A |
Puntu di fusione (℃) | 1900 |
Densità (g/cm).3) | 2.62 |
Durezza (Mho) | 7.5 |
Pulitura | Single o doppia o senza |
Orientazione Cristalli | <100> <001> |
A definizione di u substratu LiAlO2
U sustrato LiAlO2 si riferisce à un sustrato fattu di l'ossidu di lithium aluminium (LiAlO2).LiAlO2 hè un compostu cristalinu chì appartene à u gruppu spaziale R3m è hà una struttura cristallina triangulare.
I sustrati di LiAlO2 sò stati aduprati in una varietà di applicazioni, cumprese a crescita di film sottili, strati epitassiali è eterostrutture per dispositivi elettronici, optoelettronici è fotonici.A causa di e so eccellenti proprietà fisiche è chimiche, hè soprattuttu adattatu per u sviluppu di dispusitivi semiconductor di banda larga.
Una di l'applicazioni principali di i sustrati LiAlO2 hè in u campu di i dispositi basati in Gallium Nitrude (GaN) cum'è Transistor High Electron Mobility (HEMTs) è Light Emitting Diodes (LEDs).A discordanza di lattice trà LiAlO2 è GaN hè relativamente chjuca, facendu un sustrato adattatu per a crescita epitaxial di film sottili GaN.U sustrato LiAlO2 furnisce un mudellu d'alta qualità per a deposizione di GaN, risultatu in un rendimentu è affidabilità di u dispositivu megliu.
I sustrati di LiAlO2 sò ancu usati in altri campi, cum'è a crescita di materiali ferroelectrici per i dispositi di memoria, u sviluppu di i dispositi piezoelectrici è a fabricazione di batterie di stati solidi.E so proprietà uniche, cum'è una alta conductività termale, una bona stabilità meccanica è una bassa constante dielettrica, li dannu vantaghji in queste applicazioni.
In riassuntu, u sustrato LiAlO2 si riferisce à un sustrato fattu di oxidu d'aluminiu di lithium.I sustrati LiAlO2 sò usati in diverse applicazioni, in particulare per a crescita di i dispositi basati in GaN, è u sviluppu di altri apparecchi elettronichi, optoelettronici è fotonici.Possenu proprietà fisiche è chimiche desiderate chì li facenu adatti per a deposizione di filmi sottili è eterostrutture è migliurà u rendiment di u dispusitivu.