Substratu GaAs
Descrizzione
Gallium Arsenide (GaAs) hè un semiconductor compostu III-Ⅴ di u gruppu impurtante è maturu, hè largamente utilizatu in u campu di l'optoelettronica è a microelettronica.GaAs hè principalmente divisu in duie categurie: GaAs semi-insulanti è GaAs di tipu N.U GaAs semi-insulating hè principalmente utilizatu per fà circuiti integrati cù strutture MESFET, HEMT è HBT, chì sò usati in cumunicazioni radar, microonde è onde millimetriche, computer ultra-alta velocità è cumunicazioni in fibra ottica.U GaAs N-tipu hè principarmenti usatu in LD, LED, lasers infrared vicinu, lasers quantum well high-putenza è cellula sulari high-efficienza.
Pruprietà
| Cristalli | Dopatu | Tipu di cunduzzione | Cuncentrazione di flussi cm-3 | Densità cm-2 | Metudu di crescita |
| GaAs | Nimu | Si | / | <5×105 | LEC |
| Si | N | > 5 × 1017 | |||
| Cr | Si | / | |||
| Fe | N | ~ 2 × 1018 | |||
| Zn | P | > 5 × 1017 |
Definizione di u substratu GaAs
U sustrato GaAs si riferisce à un sustrato fattu di materiale di cristallu d'arsenidu di gallu (GaAs).GaAs hè un semiconductor cumpostu compostu di elementi di gallium (Ga) è arsenicu (As).
I sustrati GaAs sò spessu usati in i campi di l'elettronica è l'optoelettronica per via di e so proprietà eccellenti.Alcune proprietà chjave di i substrati GaAs includenu:
1. Alta mobilità di l'elettroni: GaAs hà una mobilità di l'elettroni più altu ch'è l'altri materiali semiconduttori cumuni cum'è u siliciu (Si).Questa caratteristica rende u sustrato GaAs adattatu per l'equipaggiu elettronicu di alta frequenza di alta putenza.
2. Gap di banda diretta: GaAs hà un gap di banda diretta, chì significa chì l'emissione di luce efficiente pò accade quandu l'elettroni è i buchi recombine.Questa caratteristica rende i substrati GaAs ideali per l'applicazioni optoelettroniche cum'è diodi emettitori di luce (LED) è laser.
3. Wide Bandgap: GaAs hà un bandgap più largu di u siliciu, chì permette di operà à temperature più altu.Sta pruprietà permette à i dispositi basati in GaAs per operare più efficace in ambienti à alta temperatura.
4. Low noise: i sustrati GaAs presentanu livelli di rumore bassu, chì li facenu adattati per amplificatori à pocu rumore è altre applicazioni elettroniche sensibili.
I sustrati GaAs sò largamente usati in i dispositi elettronichi è optoelettronici, cumpresi transistori d'alta velocità, circuiti integrati di microonde (IC), cellule fotovoltaiche, detectors di fotoni è cellule solari.
Questi sustrati ponu esse preparati aduprendu diverse tecniche cum'è a Deposizione di Vapore Chimica Organica Metallica (MOCVD), l'Epitassia Molecular Beam (MBE) o l'Epitassia in Fase Liquida (LPE).U metudu di crescita specificu utilizatu dipende da l'applicazione desiderata è i requisiti di qualità di u sustrato GaAs.
